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結果: 找到相關主題 503 個
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ao4407a,ao4407參數,ao4407a引腳圖功能-KIA MOS管
ao4407參數漏源電壓（Vdss）?：30V?連續漏極電流（Id）?：12ARDS(ON) (at VGS =-10V)< 14m??柵源極閾值電壓?：2.8V @ 250uA?最大功率耗散?：3.1Wwww.enlve.com/article/detail/5388.html 2025-05-13
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保護板mos管,無刷電機mos,30v150a,KIA2803AB場效應管參數-KIA MOS管
KIA2803AB場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽工藝設計，極低導通電阻RDS(on)=2.2mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；具有快速切換、100%雪崩測試、允許高達Tjmax的重復雪崩、無鉛，符合RoHS標準，在鋰電池保護板、...www.enlve.com/article/detail/5390.html 2025-05-13
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AD30P30D3替代,-30v-100a,電機驅動pmos,KPY3203D參數-KIA MOS管
KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進的高細胞密度溝槽技術，極低的導通電阻RDS(on)=3.5mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；100%EAS保證、CdV/dt效應顯著下降，高效穩定，綠色設備可用，符合環保要求，專用于電...www.enlve.com/article/detail/5400.html 2025-05-13
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電機驅動高壓mos管,11a400v場效應管,KNF6140S參數-KIA MOS管
KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導電損失；具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，高效穩定可靠，提供卓越的開關性能；專為高壓、高速功率開關應用而設計，...www.enlve.com/article/detail/5406.html 2025-05-13
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3n150場效應管參數,3a1500v,KNL42150A代換mos資料-KIA MOS管
3n150場效應管代換型號KNL42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，導通電阻RDS(on)=5.5Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，減少開關損耗；具有高開關頻率、低驅動電流，高可靠性，適用于高速轉換、高速開關應用場景?，在變頻器電源和逆變器、適配器、充電...www.enlve.com/article/detail/5424.html 2025-05-13
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音響功放mos管,500v13a,KNF6450B場效應管參數資料-KIA MOS管
音響功放專用場效應管KNF6450B漏源電壓500V，漏極電流13A，RDS（ON）為0.35Ω，低導通電阻，最大限度地減少導通損耗；具備快速切換特性，實現快速切換電源，高效率低損耗；低柵極電荷、低反向傳輸電容、100%單脈沖雪崩能量測試，穩定可靠；適用于音響功放、適配...www.enlve.com/article/detail/5462.html 2025-05-13
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85n06場效應管參數,bms mos,KND3306C參數資料-KIA MOS管
KND3306C漏源電壓68V，漏極電流80A，極低電阻RDS（ON）為6.5mΩ，最大限度地減少導通損耗；低Crss、快速切換特性，實現快速切換電源，高效率低損耗；100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，確保性能穩定可靠；適用于PWM應用程序、bms電池管理、負載開關中；封裝形式：...www.enlve.com/article/detail/5465.html 2025-05-13
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電機mos管,2803場效應管,30v150a,KND2803A參數資料-KIA MOS管
KND2803A場效應管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用溝槽加工技術設計，實現極低的導通電阻，RDS（ON）為2.2mΩ，最大限度地減少導通損耗；具有150°C的結工作溫度、快速的開關速度、100%雪崩測試和改進的重復雪崩額定值，無鉛，符合RoHS標準，穩定可靠；適用...www.enlve.com/article/detail/5468.html 2025-05-13
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5n50場效應管參數,5A 500V MOS,?KIA5N50SD中文資料-KIA MOS管
KIA5N50SD場效應管漏源電壓500V，漏極電流5A，低導通電阻，RDS（ON）為1.38Ω，最大限度地減少導通損耗；具有堅固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到漏極二極管的恢復時間可與分立快速恢復二極管相媲美、二極管的特點是用于橋式電路、高溫下規定的IDSS和VDS（on...www.enlve.com/article/detail/5474.html 2025-05-13
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3404場效應管,3404mos管,?80a40v,KND3404D參數引腳圖-KIA MOS管
KND3404D場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽工藝技術，極低的導通電阻RDS(開啟) 4.4mΩ，最大限度地減少導電損耗；低Crss、快速切換，高效穩定；100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，堅固可靠；熱銷于PWM應用程序、電源管理、負載開關，封裝形式...www.enlve.com/article/detail/5477.html 2025-05-13
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pwm mos管,150a30v,KNY2803S場效應管參數資料-KIA MOS管
KNY2803S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導通電阻RDS(開啟) 1.8mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力等特性，開關速度快、內阻低、耐沖擊特性好，堅固可靠；適用于PWM應用程序、電源管...www.enlve.com/article/detail/5480.html 2025-05-13
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保護板mos,to-252 150a30v,KND2803S場效應管參數-KIA MOS管
鋰電池保護板專用MOS管KND2803S漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導通電阻RDS(開啟)2.1mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力等特性，開關速度快、內阻低、耐沖擊特性好，堅固可靠；適用于PWM應用...www.enlve.com/article/detail/5483.html 2025-05-13
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led mos,130a150v場效應管,KNP2915A參數引腳圖-KIA MOS管
LED電源專用MOS管KNP2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，極低的導通電阻RDS(開啟) 10mΩ；卓越的低Rds開啟、低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；符合JEDEC標準，穩定可靠；適用于電機控制和驅動、電池管理、UPS（不間斷電源...www.enlve.com/article/detail/5498.html 2025-05-13
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2908mos管,2908場效應管,80v130a,KNH2908B參數資料-KIA MOS管
KNH2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，低RDS（ON）的高密度電池設計，極低導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗；低柵極電荷、完全表征雪崩電壓和電流、穩定性和均勻性好，EAS高；性能優越，確保應用高效穩定，適...www.enlve.com/article/detail/5507.html 2025-05-13